Samsung va concevoir des puces de 3 nm utilisées pour extraire le Bitcoin
- Samsung serait dans une phase de production d’essai pour le traitement de fonderie 3 nm qui pourrait être utilisé pour extraire du bitcoin.
- Le premier client sera PanSemi, un fabricant chinois d’ASIC et Qualcomm pourrait également y participer à l’avenir.
- Le traitement de fonderie 3 nm peut permettre aux puces d’avoir une consommation d’énergie réduite, une vitesse accrue et des quantités plus élevées de transistors.
Samsung va aurait commencer la production d’essai cette semaine de puces de trois nanomètres (3 nm) pour les circuits intégrés spécifiques à l’application (ASIC) – les machines les plus efficaces pour extraire le bitcoin.
Selon le rapport, le premier client de Samsung est une société chinoise d’ASIC connue sous le nom de PanSemi, qui conçoit des ASIC utilisés pour l’extraction de bitcoins. De même, Qualcomm – le plus gros client de Samsung – a également fait des réserves pour profiter du nouveau processus de fabrication avec des sources indiquant que Qualcomm peut s’inscrire à tout moment, mais n’est pas engagé.
Auparavant, Qualcomm avait passé des commandes de puces 4 nm, mais annulé en février dernier en raison d’un manque de production surprenant de Samsung. Cela a amené Qualcomm à s’appuyer sur une autre société – Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).
La dernière offre de Samsung est appelée gate-all-around (GAA) qui, comme son nom l’indique, aura des portes sur les quatre surfaces. Jusqu’à présent, le processus le plus réussi sur le plan commercial est le FinFET, qui n’a utilisé que trois surfaces au lieu de quatre. Cette mise à niveau permettrait aux portes d’être plus étroites et permet un contrôle plus précis des courants. Rapports suggèrent que cela pourrait entraîner une réduction de 45% de la surface et une augmentation de 30% de l’efficacité si la production d’essai réussit.
De plus, Tech Monitor signalé que le processus 3 nm de TSMC réduirait la taille du semi-conducteur, ce qui, à son tour, permettrait jusqu’à 30 % de réduction de la consommation d’énergie, jusqu’à 15 % d’augmentation de la vitesse, tout en permettant également 33 % de densité de transistors en plus – ce qui rend le matériel plus puissant.
Même si ce rapport date de l’année dernière, il est toujours utile de comprendre les impacts possibles que cette avancée aura sur la technologie.